意法半導體7月27日在官微發(fā)布公告稱，ST位于瑞典北雪平的工廠已經(jīng)制造出了首批8英寸SiC晶圓片，而下一代電力電子芯片產(chǎn)品，將用這批8英寸晶圓作為原材料。

ST表示，此次SiC晶圓升級到8英寸，標志著產(chǎn)能的擴大，已經(jīng)能夠支持汽車和工業(yè)市場的需求，也標志著此前擬定的“實現(xiàn)系統(tǒng)和產(chǎn)品電氣化”的計劃取得階段性的突破。

據(jù)消息表示，這批SiC晶圓的質(zhì)量卓越，良品率高，晶體位錯的缺陷率影響非常少。除了要能夠滿足嚴格的質(zhì)量標準外，SiC晶圓升級到8英寸還需對制造設備和整體生態(tài)系統(tǒng)進行升級更換。據(jù)消息透露，ST目前正在積極與上下游技術廠商合作開發(fā)自己的制造設備和生產(chǎn)工藝。

據(jù)ST官微揭露，目前ST量產(chǎn)的先進碳化硅產(chǎn)品STPOWER SiC是由意大利和新加坡的兩家150mm晶圓廠完成前工序制造，而后工序制造是在中國深圳和摩洛哥的兩家封測廠完成的。這個階段性的突破是意法半導體布局更先進的、高成本效益的200mm晶圓量產(chǎn)計劃的組成部分。